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DMG8880LK3
2.4
2.0
20
18
16
1.6
1.2
I D = 1mA
14
12
10
T A = 25°C
I D = 250μA
8
0.8
0.4
0
6
4
2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
f = 1MHz
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
1,000
C iss
C oss
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
100
0
C rss
5 10 15 20 25
30
1
0
5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 76°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG8880LK3
Document number: DS32052 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
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